SEMIGED-ICPMS/MS
现代半导体集成电路(以下称IC)制造是在大尺寸晶圆上重复着超过100个蚀刻和化学沉积等步骤，工艺过程中使用了许多种的化学试剂和工艺电子气体。随着大规模集成电路的发展, 集成度的不断提高, 线宽的不断减小,晶圆表面的污染物会严重影响器件的质量和成品率。IC制造工艺和制程从上世纪的微米/亚微米级别发展到当前主流的28-65nm制程，以至当前最前沿的10nm甚至7nm工艺，遵循摩尔定律发展。
半导体器件极易受到多种污染物的损害，污染是可能将芯片生产扼杀在摇篮里的首要原因之一。这些污染物可以归纳为四类：
